接近開關（傳感器）LE40SZSF15ATO-E2，LE40SZSN20ATO-E2，蘭寶接近開關，是利用電磁工作原理，用的工藝制成的，是一種位置傳感器。它能通過傳感器與物體之間的位置關系變化，將非電量或電磁量轉化為所希望的電信號，從而達到控制或測量的目的。
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1．電容式接近開關
1.1
原理：
電容式接近開關的敏感元件由導電極板系統組成，可被視為一個或一組電容，附近出現
或經過的導電體和介電體改變極板系統中的靜電場分布，從而改變敏感元件的電容。信號處理電路檢測出這種變化，就可以檢測出目標物體的接近。相比之下，電容式傳感器的結構較為簡單、工作阻抗高，因而功耗較低，此外通過鎖頻或頻譜擴展載波調制技術，可以使之不受寄生或有意的干擾影響。其他方案則很難達到設計者的要求。例如
機械開關的穩定性和可靠性較差磁敏感方式功耗過大，也容易受外磁場的影響；光學式和超聲式傳感器的結構較為復雜，容易受外界干擾。
2．電感式接近開關
2.1
原理：
電感式接近開關（GDKG）屬于一種有開關量輸出的位置傳感器，它由
LC 高頻振蕩器、信號觸發器和開關放大器組成。振蕩電路的線圈產生高頻交流磁場，
該磁場經由傳感器的感應面釋放出來。當有金屬物體接近這個能產生電磁場的振蕩感應頭時，就會使該金屬物體內部產生渦流，這個渦流反作用于接近開關，使接近開關振蕩能力衰減，內部電路的參數發生變化，當信號觸發器探測到這一衰減現象時，便把它轉換成開關電信號。由此識別出有無金屬物體接近開關，進而控制開關的通或斷。
這種接近開關所能檢測的物體必須是金屬物體。
霍爾式接近開關
3.1 原理
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為： U=K·I·B/d，其中 K 為霍爾系數，I 為薄片中通過的電流，B 為外加磁場（洛倫慈力 Lorrentz）的磁感應強度，d 是薄片的厚度。由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比。霍爾接近開關就屬于這種有源磁/電轉換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用的集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便地把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號，同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。 霍爾接近開關的輸入端是以磁感應強度 B 來表征的，當 B 值達到一定的程度（如 B1）時，開關內部的觸發器翻轉，霍爾接近開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和電感式接近開關類似的有：NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙信號輸出幾種類型。
供應接近開關LE40SF15ATO,LE40SF15ATC,LE40SN20ATO,LE40SN20ATC,LE68SF15ATO,LE68SF15ATC
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